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NVMFS5C442NLWFET1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:130A 电流:28A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C442NLWFET1G
- 商品编号
- C3288275
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A；28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AON2410将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(on) 。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- NVMFS5C442NLWF – 可焊侧翼选项,便于增强光学检测
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准