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NTMFS005P03P8ZST1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:15.3A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS005P03P8ZST1G
- 商品编号
- C3288278
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V,22A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 183nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.88nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤，“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准