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NVMFS6H836NT3G
1个N沟道 耐压:80V 电流:74A 电流:15A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS6H836NT3G
- 商品编号
- C3288268
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@95uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动损耗降至最低
- NVMFS6H824NWF——带可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过AEC - Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤，符合RoHS标准
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