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NVMFS6B05NLWFT3G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFS6B05NLWFT3G

单N沟道,电流:114A,耐压:100V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFS6B05NLWFT3G
商品编号
C3288272
商品封装
DFN-5(5x6)(SO-8FL)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)114A
导通电阻(RDS(on))8.2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)165W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52.5nC@10V
输入电容(Ciss)3.98nF
反向传输电容(Crss)89pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.37nF

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚中功率DFN2020M - 6(SOT1220 - 2)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 逻辑电平兼容
  • 开关速度极快
  • 沟槽超结技术
  • 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
  • 外露漏极焊盘,导热性能出色

应用领域

  • 继电器驱动器
  • 高速线路驱动器
  • 低端负载开关
  • 开关电路

数据手册PDF