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SI3134KL3A-TP
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 特性：低逻辑电平栅极驱动操作。 N沟道开关，低导通电阻。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 ESD人体模型2000V。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 无铅涂层/符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI3134KL3A-TP
- 商品编号
- C3288245
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
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