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BUK7D36-60EX
1个N沟道 耐压:60V 电流:14A
- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用中功率 DFN2020MD- 6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7D36-60EX
- 商品编号
- C3288253
- 商品封装
- DFN2020MD-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 453pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
这款MOSFET旨在替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和并联肖特基二极管。FDZ7064S将30V PowerTrench SyncFET工艺与先进的BGA封装相结合，最大限度地减少了PCB空间和漏源导通电阻（RDS(ON)）。这款BGA SyncFET在封装和功率MOSFET集成方面取得了突破，使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷、超低反向恢复电荷和低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
商品特性
- 13.5 A、30 V。栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 9 mΩ
- 仅占用14 mm²的PCB面积，仅为SO - 8封装面积的42%
- 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.8 mm
- 占位面积为3.5 × 4 mm²
- 高功率和高电流处理能力。
应用领域
- DC/DC转换器