PMPB40SNA115
1个N沟道 耐压:60V 电流:12.9A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB40SNA115
- 商品编号
- C3288254
- 商品封装
- DFN-6-MD(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 612pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF |
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
- 镀锡100%可焊侧焊盘,便于光学焊接检测
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路