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MCM2301-TP
P沟道,电流:3.8A,耐压:20V
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- 描述
- 特性：沟槽功率低压MOSFET技术。 高密单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层，符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCM2301-TP
- 商品编号
- C3288247
- 商品封装
- DFN2020-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 492pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
2SK3326是一款N沟道DMOS场效应晶体管（FET）器件，具有低栅极电荷和出色的开关特性，专为开关电源、交流适配器等高电压应用而设计。
商品特性
- 低栅极电荷：栅极电荷QG = 22 nC（典型值）（漏源电压VDD = 400 V，栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 10 A）
- 栅极电压额定值：±30 V
- 低导通电阻：导通电阻RDS(on) = 0.85 Ω（最大值）（栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 5.0 A）
- 雪崩能力额定值
- 采用隔离式TO - 220(MP - 45F)封装