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PMPB08R4VPX
1个P沟道 耐压:12V 电流:16.7A
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- 描述
- P- 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用无铅中功率 DFN2020M-6 (SOT1220-2) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB08R4VPX
- 商品编号
- C3288252
- 商品封装
- DFN2020MD-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 454pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 509pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加容易。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 在结温（TJ）为150°C时耐压700 V
- 典型导通电阻RDS(on) = 79 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 61 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 544 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 汽车车载充电器
- 混合动力汽车（HEV）的汽车DC/DC转换器