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PMPB09R5VPX
1个P沟道 耐压:12V 电流:15A
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- 描述
- P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅中功率 DFN2020M-6 (SOT1220-2) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB09R5VPX
- 商品编号
- C3288251
- 商品封装
- DFN2020M-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的无引脚超小型 DFN0603-3（SOT8013）表面贴装器件（SMD）P 沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 无引脚超小型封装；尺寸为 0.63 x 0.33 x 0.25 mm
- 沟槽 MOSFET 技术
- 低外形（0.25 mm）
应用领域
- 电池开关
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路