RW4E065GNTCL1
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RW4E065GNTCL1
- 商品编号
- C3288246
- 商品封装
- DFN1616-7T
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装(HEML1616L7)
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 开关
- DC/DC转换器
- 电池开关