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RW4E065GNTCL1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RW4E065GNTCL1

1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A

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品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RW4E065GNTCL1
商品编号
C3288246
商品封装
DFN1616-7T​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))22.5mΩ@10V,6.5A
属性参数值
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)4.3nC@10V
输入电容(Ciss)260pF@15V
工作温度-

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。

商品特性

  • 18A、200V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.18Ω
  • 低栅极电荷(典型值45nC)
  • 低Crss(典型值45pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

  • 高效开关式DC/DC转换器-开关电源-不间断电源用DC-AC转换器-电机控制

数据手册PDF