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PMX100UNZ
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.3A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的无引脚超小型DFN0603 - 3（SOT8013）表面贴装器件（SMD）封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMX100UNZ
- 商品编号
- C3288239
- 商品封装
- DFN0603-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 144pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4的芯片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中，它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤要求
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 工作温度达175 °C
- 快速开关
- 易于并联