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PMX400UPZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:900mA
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- 描述
- 采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型 DFN0603 - 3（SOT8013）表面贴装器件（SMD）封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMX400UPZ
- 商品编号
- C3288240
- 商品封装
- DFN0603-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 146pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
适用于基站应用的350 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为1452 MHz至1492 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，具备出色的热稳定性
- 较低的输出电容，可提升Doherty应用的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
适用于1452 MHz至1492 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器