DE275-102N06A
N沟道增强模式MOSFET,电流:8A,耐压:1000V
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- DE275-102N06A
- 商品编号
- C3288233
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 590W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率容量和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热高达2 W。 通孔版本（SiHFZ48L）适用于薄型应用。
商品特性
- 隔离衬底
- 高隔离电压(>2500V)
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- IXYS先进的低栅极电荷(Qg)工艺
- 低栅极电荷和电容
- 更易于驱动
- 更快的开关速度
- 低导通电阻(RDS(on))
- 极低的插入电感(<2nH)
- 无氧化铍(BeO)或其他有害物质
- 针对高达100MHz的射频和高速开关应用进行优化
- 易于安装,无需绝缘片
- 高功率密度
应用领域
-C类、D类和E类应用