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NVB099N65S3
1个N沟道 耐压:650V 电流:30A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，且便于设计实现
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVB099N65S3
- 商品编号
- C3288222
- 商品封装
- D2PAK-3(TO-263-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.704克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.74mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
适用于基站应用的160 W LDMOS功率晶体管，在1805 MHz至2000 MHz频率范围内具有增强的视频带宽。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 去耦功能可增强视频带宽性能（典型值70 MHz）
- 专为宽带运行设计（1805 MHz至2000 MHz）
- 更低的输出电容，可提高在Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，具有出色的预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 用于1805 MHz至2000 MHz频率范围的基站和多载波应用的RF功率放大器
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