温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVB099N65S3
1个N沟道 耐压:650V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，且便于设计实现
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVB099N65S3
- 商品编号
- C3288222
- 商品封装
- D2PAK-3(TO-263-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.704克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
适用于基站应用的160 W LDMOS功率晶体管，在1805 MHz至2000 MHz频率范围内具有增强的视频带宽。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 在结温(TJ)为150°C时耐压700 V
- 典型导通电阻RDS(on) = 79 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 61 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 544 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 汽车车载充电器
- 混合动力汽车(HEV)的汽车DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐
- NVBGS1D2N08H
- NVMFS016N10MCLT1G
- NVMFS6H836NT3G
- NTMFS5C612NLT1G-UIL5
- NVMFS3D0P04M8LT1G
- NVMFS6B05NLWFT3G
- NVMFWS2D3P04M8LT1G
- NVMFS5C442NLWFET1G
- NVMFS6H836NWFT3G
- NTMFS005P03P8ZST1G
- NTMFSC011N08M7
- NVMTS1D6N10MCTXG
- NVMTS1D1N04CTXG
- IRFR330BTM
- NVD260N65S3T4G
- NTD30N02T4G
- NTD15N06LT4G
- IRFR110ATM
- NVD6416ANLT4G
- NTDV20N06LT4G
- NTD15N06T4G