IRFZ48SPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,以实现单位硅片面积下极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。D²PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFZ48SPBF
- 商品编号
- C3288217
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品概述
适用于基站应用的300 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,工作频率范围为1805 MHz至1880 MHz。
商品特性
~~- 出色的耐用性-高效率-低热阻,提供出色的热稳定性-较低的输出电容,可提升Doherty应用中的性能-低记忆效应设计,具备出色的数字预失真能力-内部匹配,使用方便-集成ESD保护
应用领域
适用于1805 MHz至1880 MHz频率范围的基站和多载波应用的RF功率放大器
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