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IRFZ48SPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFZ48SPBF

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,以实现单位硅片面积下极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。D²PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFZ48SPBF
商品编号
C3288217
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
管装
商品毛重
1.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)110nC@10V
输入电容(Ciss)2.4nF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.3nF

商品概述

适用于基站应用的300 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,工作频率范围为1805 MHz至1880 MHz。

商品特性

~~- 出色的耐用性-高效率-低热阻,提供出色的热稳定性-较低的输出电容,可提升Doherty应用中的性能-低记忆效应设计,具备出色的数字预失真能力-内部匹配,使用方便-集成ESD保护

应用领域

适用于1805 MHz至1880 MHz频率范围的基站和多载波应用的RF功率放大器

数据手册PDF