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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVB095N65S3F

N沟道,电流:36A,耐压:650V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVB095N65S3F
商品编号
C3288221
商品封装
D2PAK-3(TO-263-3)​
包装方式
编带
商品毛重
1.859克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))86mΩ@10V
耗散功率(Pd)272W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)66nC@10V
输入电容(Ciss)3.02nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 700 V @ TJ = 150°C
  • 典型RDS(on) = 78 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Qg = 65 nC)
  • 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 597 pF)
  • 经过100%雪崩测试
  • 通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • 汽车混合动力电动汽车(HEV)-纯电动汽车(EV)车载充电器
  • 汽车混合动力电动汽车(HEV)-纯电动汽车(EV)直流/直流转换器

数据手册PDF