NVB095N65S3F
N沟道,电流:36A,耐压:650V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVB095N65S3F
- 商品编号
- C3288221
- 商品封装
- D2PAK-3(TO-263-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 272W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@0.86mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 高速开关
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准，详见订购信息）
相似推荐
其他推荐
- NVB099N65S3
- NVBGS1D2N08H
- NTMFS4C810NAT1G
- NVMFS016N10MCLT1G
- NVMFS6H836NT3G
- NTMFS4C808NAT3G
- NTMFS5C612NLT1G-UIL5
- NVMFS3D0P04M8LT1G
- NVMFS6B05NLWFT3G
- NVMFWS2D3P04M8LT1G
- NTMFS4C805NAT3G
- NVMFS5C442NLWFET1G
- NTMFS4C808NAT1G
- NVMFS6H836NWFT3G
- NTMFS005P03P8ZST1G
- NTMFSC011N08M7
- NVMTS1D6N10MCTXG
- NVMTS1D1N04CTXG
- IRFR330BTM
- IRFR310BTF
- NVD260N65S3T4G