SIHB053N60E-GE3
N沟道MOSFET,电流:29A,耐压:600V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB053N60E-GE3
- 商品编号
- C3288206
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.722nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如高效开关型DC/DC转换器和直流电机控制。
商品特性
- 19A、100V，在VGS = 10V时，RDS（on） = 0.1Ω
- 低栅极电荷（典型值14 nC）
- 低Crss（典型值35 pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值为175°C
应用领域
- 高效开关型DC/DC转换器-直流电机控制
相似推荐
其他推荐
- IRF9520SPBF
- IRFZ48SPBF
- IRFR9220PBF
- SIZ240DT-T1-GE3
- SIZF918DT-T1-GE3
- SIZF928DT-T1-GE3
- SIUD406ED-T1-GE3
- SIHK045N60E-T1-GE3
- SISA40DN-T1-GE3
- SI7810DN-T1-GE3
- SIS126DN-T1-GE3
- SIS429DNT-T1-GE3
- SI7322DN-T1-E3
- SISA14BDN-T1-GE3
- SI7423DN-T1-GE3
- SQS401EN-T1_BE3
- SIS862ADN-T1-GE3
- SI7913DN-T1-GE3
- SIS590DN-T1-GE3
- SI7220DN-T1-GE3
- SI7913DN-T1-E3