IRF9520SPBF
1个P沟道 耐压:100V 电流:6.8A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9520SPBF
- 商品编号
- C3288212
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(50个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个50个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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