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IRF9520SPBF

1个P沟道耐压:100V 电流:6.8A

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描述: 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRF9520SPBF
商品编号: C3288212
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 管装
商品毛重: 2.05克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术实现了单位硅面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

表面贴装
提供卷带包装
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
P沟道
175°C工作温度
快速开关

应用领域

开关稳压器
开关转换器
电机驱动器
继电器驱动器
低压总线开关
便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	6.8A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	60W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	18nC@10V
	输入电容(Ciss)	390pF
	反向传输电容(Crss)	45pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道