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IRF9520SPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF9520SPBF

1个P沟道 耐压:100V 电流:6.8A

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRF9520SPBF
商品编号
C3288212
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
管装
商品毛重
2.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)390pF@25V
反向传输电容(Crss)45pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道

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