FDB14AN06LA0
1个N沟道 耐压:60V 电流:67A 电流:10A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB14AN06LA0
- 商品编号
- C3288209
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.6mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 12.8 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 5 V,漏极电流ID = 60 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 24 nC(典型值),栅源电压VGS = 5 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷(QRR)体二极管
- 具备非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
- 通过AEC Q101认证
应用领域
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统(ABS)
- 动力总成管理
- 喷射系统
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V和24V系统的初级开关
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