FDB14AN06LA0
1个N沟道 耐压:60V 电流:67A 电流:10A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB14AN06LA0
- 商品编号
- C3288209
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.6mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 2.1A、500V，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 5.3Ω
- 低栅极电荷（典型值为6.0nC）
- 低Crss（典型值为4.0pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善了dv/dt能力