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FQB15P12TM

P沟道,电流:-15A,耐压:-120V

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FQB15P12TM
商品编号: C3288211
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO-263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX-4的芯片。它在现有的所有表面贴装封装中具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO-263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

~~- 提供卷带包装的表面贴装形式-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-P沟道-工作温度达175°C-快速开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	120V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	200mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3.75W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	38nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.1nF
	反向传输电容(Crss)	140pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道