温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIHLZ34S-GE3

N沟道 MOSFET,电流:21A,耐压:60V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHLZ34S-GE3
商品编号: C3288200
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET所具备的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D2PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK(TO - 263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可散热达2.0 W。

商品特性

先进的工艺技术
表面贴装
175°C工作温度
快速开关
全雪崩额定

应用领域

高效开关模式电源-基于半桥的电子灯镇流器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	30A
	导通电阻(RDS(on))	50mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	3.7W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	35nC@5V
	输入电容(Ciss)	1.6nF
	反向传输电容(Crss)	170pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	660pF