FQB17P10TM
1个P沟道 耐压:100V 电流:16.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB17P10TM
- 商品编号
- C3288201
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI）的特征尺寸，能实现硅的最佳利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 25A，60V
- 漏源导通电阻rDS(ON) = 0.047Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关（UIS）额定曲线
- 工作温度175°C