HUF75332S3S
1个N沟道 耐压:55V 电流:52A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HUF75332S3S
- 商品编号
- C3288205
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFETTM工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻,从而带来出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量,且二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 52A,55V
- 超低导通电阻,rDS(ON) = 0.019Ω
- 二极管兼具高速和软恢复特性
- 温度补偿PSPICE模型
- 热阻SPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 相关文献
应用领域
- 汽车应用
- 多种其他应用