HUF75332S3S
1个N沟道 耐压:55V 电流:52A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HUF75332S3S
- 商品编号
- C3288205
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用设计，采用最新的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效、可靠器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 逻辑电平栅极驱动
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
应用领域
- 汽车应用
- 多种其他应用