IRFD110
1个N沟道 耐压:100V 电流:1A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFD110
- 商品编号
- C3288361
- 商品封装
- DIP-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应AEC标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 适用于标准电平栅极驱动
- 雪崩耐受性强
- 适用于最高额定温度达175°C的高散热要求环境
应用领域
- 12V电机、灯具和螺线管负载
- 高性能脉冲宽度调制（PWM）应用
- 高性能汽车电源系统