FQB70N10TM
N沟道,电流:57A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB70N10TM
- 商品编号
- C3288199
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.3nF |
商品特性
- 57A、100V,VGS = 10V时RDS(on) = 0.023Ω
- 低栅极电荷(典型值85nC)
- 低Crss(典型值150pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
应用领域
- 音频放大器
- 高效开关型DC/DC转换器
- 直流电机控制