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FQB6N25TM实物图
  • FQB6N25TM商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQB6N25TM

N沟道,电流:5.5A,耐压:250V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQB6N25TM
商品编号
C3288197
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on))1Ω@10V
耗散功率(Pd)63W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.5nC@10V
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)65pF

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) (R_{on} \times Q_{g})
  • 低有效电容 ((C_{o(er)}))
  • 降低开关和传导损耗
  • 雪崩能量额定 (UIS)
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 功率因数校正电源 (PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯 (HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF