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STB18N60M6
N沟道,电流:13A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、230 mOhm典型值、13 A MDmesh M6功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB18N60M6
- 商品编号
- C3288190
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别优化，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极输入电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 具备齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器