STB18N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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描述
N沟道600 V、230 mOhm典型值、13 A MDmesh M6功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB18N60M6商品编号
C3288190商品封装
D2PAK(TO-263)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 280mΩ@6.5A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.75V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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