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STB30N65DM6AG
1个N沟道 耐压:650V 电流:28A
- 描述
- 采用 D2PAK 封装的汽车级 N 沟道 650 V、102 mOhm（典型值）、28 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB30N65DM6AG
- 商品编号
- C3288192
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 223W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 快速恢复二极管相比,DM6 结合了极低的恢复电荷 (Qrr)、恢复时间 (trr),以及单位面积导通电阻 RDS(ON) 的显著改善,具备市场上最有效的开关性能之一,适用于要求严苛的高效桥拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻 (RDS(on)) 更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用