NDS8934
双P沟道,电流:3.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS8934
- 商品编号
- C3289838
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与其他具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的MOSFET相比，该MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这款MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能够提高DC/DC电源设计的整体效率。
商品特性
- -3.8A,-20V。RDS(ON) = 0.07 Ω(VGS = -4.5 V时),RDS(ON) = 0.1 Ω(VGS = -2.7 V时)。
- 高密度单元设计,实现极低的\mathsfRDS(ON)。
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力。
- 表面贴装封装中的双MOSFET。