FDS6680
单通道N沟道逻辑电平MOSFET,电流:11.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6680
- 商品编号
- C3289836
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 11.5 A、30 V。在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 0.010 Ω;在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 0.015 Ω。
- 针对使用PWM控制器的开关DC/DC转换器进行了优化。
- 开关速度极快。
- 栅极电荷低(典型值Qg = 19 nC)。
应用领域
-负载开关-便携式应用-电源管理功能