FDFS6N303
N沟道 MOSFET,电流:6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFS6N303
- 商品编号
- C3289812
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是，这款MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并能实现整体效率更高的DC/DC电源设计。
商品特性
- 6.3 A、100 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 32 mΩ
- VGS = 6 V时，RDS(ON) = 35 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为57 nC）
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力