FDS6993
双P沟道,电流:-4.3A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6993
- 商品编号
- C3289798
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 193nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 790pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.98nF |
商品概述
这款互补功率 MOSFET 采用先进的 MegaFET 工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅材料的最佳利用，从而具备出色的性能。它专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和低压总线开关等应用设计。该产品在 3V 至 5V 范围内的栅极偏置下，可实现全额定导通，因此能够直接由逻辑电平（5V）集成电路实现真正的通断功率控制。
商品特性
- 3.5A、12V（N 沟道）
- 2.5A、12V（P 沟道）
- rDS(ON) = 0.050 欧姆（N 沟道）
- rDS(ON) = 0.130 欧姆（P 沟道）
- 温度补偿 PSPICE 模型
- 导通电阻与栅极驱动电压曲线
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性负载（UIS）额定曲线
- 相关文献
- TB334《表面贴装元件焊接到印刷电路板的指南》
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关