MMDF2P02ER2
P沟道, 电流:2A, 耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMDF2P02ER2
- 商品编号
- C3289797
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 475pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器。
商品特性
- 0.67A，-200V，栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 2.7Ω
- 低栅极电荷（典型值6.0nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值7.5pF）
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力