FDS6299S
N沟道,电流:21A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6299S
- 商品编号
- C3289787
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.03nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 漏源导通电阻 = 5.5 mΩ，栅源电压 = 10 V，漏极电流 = 16 A
- 漏源导通电阻 = 7.0 mΩ，栅源电压 = 4.5 V，漏极电流 = 15 A
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器