FDFS2P102
P沟道,电流:-3.3A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFS2P102
- 商品编号
- C3289786
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
RM2A8N60S4采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 2.8A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 100 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 110 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源