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DMT68M8LFV-7
N沟道,电流:54.1A,耐压:60V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT68M8LFV-7
- 商品编号
- C3289383
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.078nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 生产中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低 RDS(ON),确保导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品更小巧
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-电源管理