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DMN2230UQ-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2230UQ-7
- 商品编号
- C3280159
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 188pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 领先的平面技术，实现低栅极电荷/快速开关
- 额定2.5 V，适用于低电压栅极驱动
- SOT-23表面贴装，占用空间小
- NVR前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备的负载/电源开关
- 计算设备的负载/电源开关
- DC-DC转换