温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP2160UWQ-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：发动机管理系统、直流 - 直流转换器、车身控制电子系统。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2160UWQ-7
- 商品编号
- C3280218
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V,1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 627pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
RM2302采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 4A
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 59mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理