温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN31D5UDJ-7
双N沟道增强模式MOSFET,电流:0.22A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN31D5UDJ-7
- 商品编号
- C3282469
- 商品封装
- SOT-963
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 380pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 22.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.68pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装1mm x 1mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关