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DMN31D5UDJ-7
双N沟道增强模式MOSFET,电流:0.22A,耐压:30V
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN31D5UDJ-7
- 商品编号
- C3282469
- 商品封装
- SOT-963
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 380pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 22.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.68pF |
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