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PMXB120EPE147实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMXB120EPE147

P沟道,电流:2.4A,耐压:30V

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMXB120EPE147
商品编号
C3282482
包装方式
袋装
商品毛重
0.274克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2.4A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)8.33W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
输入电容(Ciss)309pF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)41pF

商品概述

采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用无引脚超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

商品特性

  • 沟槽 MOSFET 技术
  • 无引脚超小型超薄 SMD 塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
  • 外露漏极焊盘,导热性能出色
  • 静电放电 (ESD) 保护 1 kV HBM
  • 漏源导通电阻 RDSon = 100 mΩ

应用领域

  • 便携式设备的高端负载开关和充电开关
  • 电池供电便携式设备的电源管理
  • LED 驱动器
  • DC-DC 转换器

数据手册PDF