2SK1589-T2B-A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@1.0uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 16pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流（DC/DC）转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 雪崩额定
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤