IRFAF50
900V, N-通道, 6.2A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFAF50
- 商品编号
- C3282547
- 商品封装
- TO-204AA(TO-3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.85V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HEXFET技术是先进功率MOSFET晶体管系列的关键。这种最新“先进水平”设计的高效几何结构和独特工艺实现了:极低的导通电阻与高跨导相结合;卓越的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。 HEXFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势,如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
-重复雪崩额定值-动态dv/dt额定值-密封封装-驱动要求简单-易于并联
应用领域
-开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路