SPI15N60CFD
N沟道,电流:13.4A,耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPI15N60CFD
- 商品编号
- C3282662
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@750uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
一款30 W的通用LDMOS射频功率晶体管，适用于高频至2 GHz频段的广播和工业、科学和医疗（ISM）应用。
商品特性
- 高效率
- 集成双面静电放电（ESD）保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 卓越的可靠性
- 易于进行功率控制
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
- 连续波（CW）应用的射频功率放大器