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BSC200P03LSG实物图
  • BSC200P03LSG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC200P03LSG

P沟道,电流:12.5A,耐压:30V

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商品型号
BSC200P03LSG
商品编号
C3282747
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.274克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)63W
阈值电压(Vgs(th))1V@100uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48.5nC
输入电容(Ciss)2.43nF
反向传输电容(Crss)690pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)757pF

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于DC-DC转换器、电源管理功能和背光照明。

商品特性

~~- 低输入电容-低导通电阻-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准-具备PPAP能力

应用领域

  • DC-DC转换器-电源管理功能-背光照明

数据手册PDF