NVMFS5834NLWFT1G
N沟道,电流:75A,耐压:40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5834NLWFT1G
- 商品编号
- C3282790
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.231nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 198pF |
商品概述
这款单片共漏极N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺设计，旨在优化特殊TSSOP - 8引脚框架上的漏源导通电阻（RDS(ON)），该框架的所有漏极位于封装的一侧，在栅源电压（VGS） = 2.5 V时具有良好性能。
商品特性
- 7.5 A，20 V。在栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 19 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 23 mΩ
- 源极和漏极引脚相互隔离
- 高性能沟槽技术，在栅源电压（VGS） = 2.5 V时可实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
-锂离子电池组