商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 微型Micro8表面贴装封装 – 节省电路板空间
- 极低的外形尺寸(<1.1毫米),适用于PCMCIA卡等薄型应用
- 超低的导通电阻RDS(on),可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动 – 可由逻辑IC驱动
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的漏源极截止电流IDSS
- 规定了雪崩能量
- 提供Micro8封装的安装信息
应用领域
-直流-直流转换器-计算机、打印机、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理-磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低压电机控制