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NTB10N60实物图
  • NTB10N60商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTB10N60

N沟道,电流:10A,耐压:600V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTB10N60
商品编号
C3283035
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))750mΩ@10V
耗散功率(Pd)201W
阈值电压(Vgs(th))4V@0.25mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)2.58nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)660pF

数据手册PDF

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