MTY14N100E
N沟道,电流:14A,耐压:1000V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTY14N100E
- 商品编号
- C3283092
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.23nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端设计方案，可在不随时间推移降低性能的情况下增强耐压能力。此外，这款先进的功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
-坚固的高压终端设计-规定雪崩能量-二极管特性适用于桥式电路-规定高温下的IDSS和VDS(导通)
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路