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FDZ2552P

P沟道,电流:5.5A,耐压:20V

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDZ2552P
商品编号: C3288039
商品封装: BGA-18(2.5x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

飞兆半导体（Fairchild）先进的2.5V特定PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合，FDZ206P最大限度地减少了PCB空间和导通电阻rDS(on)。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破，使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低导通电阻rDS(on)。

商品特性

-13 A，-20 V。在VGS = -4.5 V时，rDS(on) = 9.5 mΩ
在VGS = -2.5 V时，rDS(on) = 14.5 mΩ
仅占用14 mm²的PCB面积，仅为SO - 8封装面积的42%
超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.80 mm
焊球间距为0.65 mm
占位面积为3.5 × 4 mm²
高功率和电流处理能力

应用领域

电池管理
负载开关
电池保护

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	5.5A
	导通电阻(RDS(on))	45mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	2.1W
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	13nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	884pF
	反向传输电容(Crss)	103pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	共漏
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	258pF